【学术大师大讲堂第29期暨MSE讲坛第29期】 中子散射在材料结构分析中的不可替代性
为引导学生树立正确职业观,激发学生学业和职业生涯规划的自主性,现面向全校学生开展学术大师大讲堂第29期暨MSE讲坛第29期活动。
讲堂时间:2026年6月26日(星期五)9:30-10:30
讲堂地点:材料楼220
讲堂主题:中子散射在材料结构分析中的不可替代性
黄清镇,中国散裂中子源研究员,原美国国家标准与技术研究院(NIST)中子研究中心(NCNR)资深研究员。1977年毕业于中国科学技术大学物理系,毕业后在中国科台湾a片 福建物质结构研究所从事激光非线性晶体研究12年,为中国科台湾a片 科技进步特等奖主要贡献人之一,同时荣获中国科台湾a片 科技进步奖二等奖。
1990年起,在美国NIST中子研究中心深耕三十余年,长期依托GSAS软件开展中子粉末衍射晶体结构、磁结构解析工作,围绕超导、清洁能源、磁性材料系统研究微观结构与材料性能的内在关联。累计在Nature、Science等顶级期刊发表论文460余篇,论文他引超26600次,H-index达81,单篇平均引用超51次。先后斩获NIST Samuel Wesley Stratton奖、美国商业部科学技术贡献银奖等多项国际权威奖项,是全球中子衍射、磁结构分析领域知名专家。

内容介绍:
材料宏观性能由微观晶体结构直接决定,中子衍射作为核心表征技术,能够弥补X射线、电子衍射等手段的短板,在先进材料研究中具备不可替代的独特优势。
本次报告将系统讲解中子散射三大核心优势:一是中子散射强度与原子核种类无固定规律,可精准识别氢等轻原子占位、过渡金属元素共混占位、同位素分离等关键信息;二是中子自带磁矩,对电子自旋有序度高度敏感,结合极化中子技术可完全区分核散射与磁散射信号,精准表征磁性材料有序磁结构;三是中子不带电、穿透深度大,可无损探测大块工程构件内部应变,适配各类极端环境原位测试。
报告将结合超导、储能、磁性金属等典型材料案例,帮助师生掌握前沿微观结构表征技术,拓宽大科学装置交叉研究视野,为新材料设计、微观机理研究提供全新技术思路,为未来从事超导材料、磁性功能材料、固态储能等方向的职业发展提供启发。
报名链接及二维码:报名成功后进入哈工大APP群等待后续通知。
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2026年6月23日



